Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TSM089N08LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM089N08LCR RLG

工場モデル TSM089N08LCR RLG
メーカー Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明 MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
パッケージ 8-PDFN (5x6)
株式 54506 pcs
データシート TSM089N08LCR
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$1.586 $1.423 $1.166 $0.993 $0.837
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTaiwan Semiconductor Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。54506のTaiwan Semiconductor Corporation TSM089N08LCR RLGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PDFN (5x6)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 8.9mOhm @ 12A, 10V
電力消費(最大) 83W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6119 pF @ 40 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 90 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 67A (Tc)
基本製品番号 TSM089

おすすめ商品

TSM089N08LCR RLG データテーブルPDF

データシート